10月8日，经过多年筹划和努力，北京同步辐射装置4WB-X射线荧光微分析实验站的新von Hamos谱仪调试成功，可开展1.5-15keV能区的相关元素的vtc-X射线发射谱实验。该谱仪的核心光学部件是在国际上首次实现的基于Si单晶的全柱面分析晶体。
X射线发射谱(X-ray emission spectroscopy，XES)又称高能量分辨X射线荧光光谱(high-resolution X-ray fluorescence spectroscopy)，是通过波长色散方法获得的能谱，用于研究元素的组分、价态、自旋态和配体识别等。北京同步辐射装置X射线荧光微分析站(4W1B)多年来立足于自主研发X射线波长色散谱仪的分析晶体这一核心光学部件，利用胶粘和阳极键合等工艺自主研制了高质量的Si单晶分析晶体，包括罗兰元半径一米的球面4英寸、大尺寸柱面晶体等。本次新研制的全柱面Si单晶条带分析晶体能够将von Hamos谱仪的探测效率最大化，而且谱仪的多环设计特别适合真空或He气氛下韧/硬X射线发射谱实验，非常有利于真空环境下测量Si、P、S等较轻元素和稀土元素等的X射线发射谱。与4W1B-X射线荧光微分析实验站的粉光为聚焦高通量束线结合后，能够实现1.5-15keV能区的XES测量，成为国内首个向用户开放该能区XES实验方法的线站，满足了用户的迫切需求。
此外，该谱仪还具有许多优点，例如更换能点调节简单，测量韧/硬X射线能量范围宽，适合开展包括高能量分辨XAFS、共振非弹性X射线散射(RIXS)、X射线拉曼谱(XRS)等多种能谱测量等多种谱学实验，也非常适合时间分辨特别是自由电子激光装置的X射线发射谱实验，尤其是该谱仪与常规光源结合可实现实验室条件下的X射线发射谱实验，具有很好的商业化前景。该谱仪的建造成功也为HEPS及其它光源储备了新的实验技术。
