离子刀新闻
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员蔡艳、欧欣合作，利用上海微技术工业研究院标准180纳米硅光工艺在八英寸绝缘体上硅（SOI）上制备了硅光芯片，再基于“离子刀”异质集成技术，通过直接键合的方式实现铌酸锂（LN）与SOI晶圆的异质集成，并通过干法刻蚀技术实现了硅光芯片波导与铌酸锂电光调制器的单片式混合集成，制备出通信波段马赫-曾德尔干涉仪型硅基铌酸锂高速电光调制器。
2024-04-01
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